Micron自家市场统计预测指出，从2012到2016年总体NAND Flash容量应用的年复合成长率可达51  。2013年，美光（Micron）与SK Hynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的NAND Flash存储器技术，而东芝（Toshiba）则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关NAND Flash存储器芯片产品。

　　NAND Flash传输速率，从2010年onFI 2.0的133MB/s，eMMC v4.41的104MB/s；到2011年onFI v2.2/Toggle 1.0规格，传输速率提升到200MB/s，eMMC v4.5拉高到200MB/s，UFS 1.0传输速率为2.9Gbps；2012年onFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s，UFS v2.0传输速率倍增为5.8Gbps；预估到2015年，onFI v4.x/Toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800MB/s、1.6GB/s。

　　随着NAND Flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（P/E Cycles）的缩减。SLC存储器从3x  制程的100，000次P/E Cycles、4个ECC bit到2x  制程降为60，000 P/E、ECC 24bit。MLC从早期5x  制程10，000 P/E、ECC 8bit，到2x/2y  制程时已降为3，000 P/E、24~40个ECC bit。

　　有厂商提出，eSLC、iSLC的存储器解决方案，以运用既有的低成本的MLC存储器，在单一细胞电路单元使用SLC读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写耐用度提升到30，000次P/E，成本虽比MLC高，但性价比远于SLC，可应用在IPC／Kiosk／POS系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。     M62244FP          M62332FP          M62342FP          M62352GP          M62363FP          M62392FP          M63028FP          M65847AFP          M66005-0001AHP          M66291GP

PS2501-1     PS2501L-1-F3    PS2701-1-F3-A     PS2801-4-F3-A    PF08127B-TB